Micron и Nanya создали чип

admin — Sun, 21 Feb 2010 20:56:00 +0000

Micron Technology и Nanya Technology сообщили о получении ими чипа памяти DDR3 объемом 2 Гб,изготовленного по новому техпроцессу DRAM с уровнем детализации 42 нм и медными соединениями. Память такого типа может применяться в серверах, ноутбуках и настольных ПК.
Переход на уровень 42 нм позволит сократить рабочее напряжение с 1,5 до 1,35 В -это, в свою очередь, приведет к уменьшению энергопотребления и тепловыделения. По сравнению с прежними нормами также обеспечиваются рост быстродействия (до 1866 Мб/с для чипа 2 Гб DDR3) и повышение эффективности производства. Появление новых микросхем сделает возможным создание модулей объемом до 16 ГБ.
Начало выпуска чипов ограниченным тиражом намечено на II квартал, а массовое производство новинок запланировано на вторую половину 2010 г.

Samsung Electronics разработала первую в индустрии микросхему DDR3

admin — Tue, 02 Feb 2010 05:48:00 +0000

Samsung Electronics разработала первую в индустрии микросхему DDR3 с детализацией 30 нм. Чипы Green DDR3 плотностью 2 Гб имеют сниженное на 30% энергопотребление по сравнению с DRAM 50 нм: модуль 4 ГБ для ноутбука будет расходовать всего 3 Вт, или около 3% общей мощности портативного ПК. В результате перехода на массовое производство по технологии 30 нм во второй половине года компания ожидает роста продуктивности на 60% по отношению к DDR3 40 нм и удвоения ценовой эффективности по сравнению с DRAM 50 или 60 нм.

Все о компьютерах, высоких технологиях, hi-tech, гаджетах и телефонах. » DDR3

Micron и Nanya создали чип

Samsung Electronics разработала первую в индустрии микросхему DDR3