Все о компьютерах, высоких технологиях, hi-tech, гаджетах и телефонах.

Sony изготовила трансивер для межкомпонентных беспроводных соединений

Темы: ISSCC 2010, Sony, беспроводная связь, КМОП-технология, трансивер

В Сан-Франциско (штат Калифорния) на конференции ISSCC 2010 корпорация Sony сообщила об успешной разработке ею первой в мире технологии, делающей возможной беспроводную связь на миллиметровых радиоволнах (30-300 ГГц) между внутренними компонентами электронного оборудования.

Устранение сложной инфраструктуры проводных межсоединений позволит уменьшить размеры микросхем и других деталей, повысить надежность и снизить себестоимость конечных продуктов. Высокоэффективный приемопередатчик, работающий в диапазоне миллиметровых волн, Sony удалось реализовать в изготовленной по 40-нанометровой КМОП-технологии микросхеме площадью всего 0,13 кв. мм. Она снабжена антенной длиной 1 мм, потребляет 70 мВт мощности и позволяет передавать данные со скоростью 11 Гб/с на расстояния до 14 мм.

Применяя направленную антенну, дальность устойчивой связи можно увеличить до 50 мм.

Почитать еще:

BenQ E2420HD – оснащенный монитор для массового рынка

Вборьбе за покупателя производители стремятся сделать свою продукцию более привлекательной, оснащая технику дополнительными функциями, которые облегчают интеграцию монитора в современную настольную систему.

BenQ V Series – монитор толщиной всего полтора сантиметра

BenQ расширила модельный ряд мониторов, представив в рамках линейки V Series сразу девять устройств, которые, по заявлению производителя, являются самыми тонкими на рынке.

ИТ-затраты в госсекторе Западной Европы В 2010 г. превысят 58 млрд долл.

Агентство IDC прогнозирует стабильное возрастание доли расходов на ИТ-сервисы, которое должно сохраниться на протяжении ближайших трех лет. Аналитики объясняют это тем, что госсектор не так радикально урезал свои ИТ-бюджеты, как другие вертикальные рынки.

Micron и Nanya создали чип

Micron Technology и Nanya Technology сообщили о получении ими чипа памяти DDR3 объемом 2 Гб,изготовленного по новому техпроцессу DRAM с уровнем детализации 42 нм и медными соединениями.